宜特TEM材料分析技术突破10纳米

本文摘要：随半导体产业朝更加先进设备制程发展之际，iST宜特科技材料分析检测技术再行突破！iST宜特经过一整年的冲刺，检测技术至今年已突破10奈米制程，不仅帮助多间客户在先进设备制程产品上已完成TEM分析与检验，其技术能量加深获得IEEE半导体元件故障分析领域权威的组织IPFA（InternationalSymposiumonthePhysicalandFailureAnalysisofIntegratedCircuits，积体电路过热分析论坛）认同，于会议期间公开发表近期研究成果。

随半导体产业朝更加先进设备制程发展之际，iST宜特科技材料分析检测技术再行突破！iST宜特经过一整年的冲刺，检测技术至今年已突破10奈米制程，不仅帮助多间客户在先进设备制程产品上已完成TEM分析与检验，其技术能量加深获得IEEE半导体元件故障分析领域权威的组织IPFA（InternationalSymposiumonthePhysicalandFailureAnalysisofIntegratedCircuits，积体电路过热分析论坛）认同，于会议期间公开发表近期研究成果。　　宜特仔细观察找到，近年来，企业为了打造出效能更高、功耗更加较低、体积更加小的半导体元件以符合现今智慧产品之市场需求，各大厂在先进设备制程研发的脚步越来越快，已从去年20奈米制程，踏入今年的14奈米制程；其中还包括台积电、英特尔、三星等大厂，更加预计相继于明年转入10奈米以下的量产阶段，因此造就整个供应链的TEM分析市场需求。　　宜特更进一步认为，时隔去年布建业界EDS元素分析能力最弱的TEM设备，聘雇多位博士级的TEM专家，如国内顶尖TEM权威──鲍忠兴博士，经过一整年的冲刺，不仅生产能力大跃进，其检测分析能量堪称从去年14奈米，向上突破至10奈米制程，加深获得多间客户如LED磊晶厂、半导体设备厂与晶圆代工厂的认同，检测生产能力装载，下半年持续扩产以因应客户市场需求。　　宜特科技材料分析工程部经理陈声宇博士回应，宜特材料分析技术能量有目共睹，更加取得IPFA认同，于本月举办的会议中，公开发表利用低准确性的TEM/EDS技术分析先进设备NANDflash产品之论文。

此成果可应用于先进半导体制程中介电层材料（dielectriclayer）的分析之上。　　▲左图为韩系大厂近期横向填充Flash记忆体（V-NAND）的TEM影像。右图为记忆体单元未受损伤的TEM/EDS分析结果。

　　陈声宇更进一步认为，先进设备制程的介电层材料，往往薄弱而不易在分析过程中遭到受损，分析可玩性非常低。宜特运用业界最低规格的TEM/EDS机台，并充份优化实验参数，顺利在介电层材料遭到受损前，很快已完成讯号的搜集，获得精确的元素产于资讯，获取研发工程师提高制程时，最有力的依据。因此才能在短时间内，沦为客户在研发阶段，提高研发竞争力的最佳夥伴。

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